随着芯片制造商的优势越来越接近硅可以实现的极限 ，研究人员一直在探索通过堆叠其他组件来提高性能和功率效率的方法 。不过 ，来自MIT的一个这样的组从几年前就突破了似乎不可能的界限，从而开发了一种将GAN晶体管连接到硅芯片上的技术 ，这可能会导致更好的无线设备 。
如果您最近购买了用于笔记本电脑 ，电话或其他移动设备的不错的充电器，那么它很有可能是基于GAN的设备。氮化炮（GAN）是一种半导体的材料 ，例如掺杂的硅 ，但是在处理高温，电压和当前的传输方面 ，GAN具有良好的效果 。
因此 ，为什么它是任何需要以超高频操作或处理大量功率的设备的首选 。不幸的是，完全由GAN制成的芯片比在PC，游戏机 ，电视 ，电视，手机和所有其余的PC ，游戏机 ，电视，电视 ，手机和所有其他芯片中生产数百万芯片的普通晶片要贵得多。
这就是为什么马萨诸塞州理工学院（MIT）和其他中心的一组研究人员已经开发了一种方法 ，该方法可以使GAN晶体管被堆叠在正常的硅芯片之上，以便设计在正确的位置获得所有不错的GAN益处 ，但又不会激发整个Wawfer的高成本 。
Pradyot Yadav说：“我们想将GAN的功能与由硅制成的数字芯片的力量相结合 ，但不必妥协带宽成本 。我们通过在硅芯片的顶部添加超细的氮化壳晶体管来实现。”
为了阐明重要的事情，值得注意的是 ，Yadav并没有谈论AMD或Intel CPU中的晶体管的大小 。严格来说 ，该方法正在创建电子工程师所说的二骨（有点像chiplet），在这种情况下，Dielets的尺寸为0.24 x 0.41毫米 。
这些是从gan晶片上进行的激光切割 ，后者已经连接了铜互连 ，因此更容易将二骨架连接到传统的硅死亡。麻省理工学院指出，大多数像这样的键合技术都需要使用黄金 ，这不仅比铜贵 ，而且还要求将整个设置加热到可能会损坏传入的dielet和主机死亡的水平。
研究人员完善了制造过程后，他们使用英特尔22 nm工艺节点制造的硅芯片从中创建了功率放大器 。最终结果是一个微小的电路 ，它可以比传统的硅设计更大的电磁信号 。不幸的是 ，该论文是在学术薪资墙的背后，因此尚不清楚铜键入的Gan-Dielet放大器比普通的铜键放大器要好得多。
但是 ，即使要好一些 ，您也可以确保Intel和Qualcomm之类的人会感兴趣地研究这项研究 。那是因为让硅芯片运行更快并处理更多功率，它变得越来越困难 ，因此越来越昂贵 。3D堆叠不仅是处理器的未来 ，而且也是较小的组件，而且未来的手机，游戏机和PC中的WiFi和蓝牙发射机几乎可以肯定会沿着这条路线延伸。
对我来说 ，如果我只能拥有一套蓝牙耳机 ，这些耳机不会与我的电脑断开连接，因为我敢于将头部移动三英寸 ，那么我会很乐意为超级巨星的gan发射器支付更多费用 。
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文章不错《研究人员开发了一种新技术，将GAN晶体管粘合到硅芯片，其最终目标是拥有更强大，更有效的无线发射器》内容很有帮助